型号: IRFP350
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 150nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2600pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 190W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 300 毫欧 @ 9.6A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247-3
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：吴勇军
电话：18344483665
Q Q:
联系人：谢
电话：13316830599
Q Q:
联系人：雷丽辉
电话：13543309236
Q Q:
