型号:  IRFP4227PBF

功能描述:  MOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  65 A

Rds On-漏源导通电阻:  25 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  70 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  330 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  20.7 mm

长度:  15.87 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.31 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  49 S

下降时间:  31 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  20 ns

工厂包装数量:  400

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  21 ns

典型接通延迟时间:  33 ns

零件号别名:  SP001560510

单位重量:  38 g