型号: IRFP7537PBF
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: TO247
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 172A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 3.3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.7V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 210nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 7020pF @ 25V
功率耗散(最大值): 230W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
系列: HEXFET®,StrongIRFET™
FET类型: N 沟道
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 172A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 6V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 3.7V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 210nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 7020pF @ 25V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 3.3 毫欧 @ 100A,10V
封装形式Package: TO-247AC
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 60V
连续漏极电流ID: 172A
供应商器件封装: TO-247
无铅情况/RoHs: 否
联系人:曾先生
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
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联系人:胡小姐
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