型号:  IRFPE50PBF

功能描述:  MOSFET N-CH 800V HEXFET MOSFET

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247AC-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  800 V

Id-连续漏极电流:  7.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  200 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  190 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  20.82 mm

长度:  15.87 mm

系列:  IRFPE

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.31 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  5.6 S

下降时间:  39 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  38 ns

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  120 ns

典型接通延迟时间:  19 ns

单位重量:  38 g