型号: IRFPS29N60L
功能描述: MOSFET N-Chan 600V 29 Amp
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Vishay / Siliconix
Id-连续漏极电流: 29 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 480 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-274-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 54 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 100 ns
工厂包装数量: 500
典型关闭延迟时间: 66 ns
典 1000 型接通延迟时间: 34 ns
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