型号:  IRFPS3810PBF

功能描述:  MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  141 A

Rds On-漏源导通电阻:  9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  260 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  441 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  20.7 mm

长度:  15.87 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  HEXFET Power MOSFET

宽度:  5.31 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  140 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  270 ns

工厂包装数量:  25

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  45 ns

典型接通延迟时间:  24 ns

零件号别名:  SP001566934