型号:  IRFR1018ETRPBF

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

产品培训模块：  High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

设计资源：  IRFR1018EPBF Saber Model IRFR1018EPBF Spice Model

标准包装：  2,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  HEXFET®

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  56A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  8.4 毫欧 @ 47A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  69nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  2290pF @ 50V

功率 - 最大值：  110W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：  D-Pak

其它名称：  IRFR1018ETRPBFTR