型号: IRFR13N20DTR
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源： IRFR13N20DTRPBF Saber Model IRFR13N20DTRPBF Spice Model
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 13A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 235 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 830pF @ 25V
功率 - 最大值： 110W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： D-Pak
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