型号: IRFR1N60ATRPBF
功能描述: Single N-Channel 600 V 7 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
制造商: Vishay
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 1.4A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 14nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 229pF @ 25V
Vgs(最大值): ±30V
功率耗散(最大值): 36W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 7 欧姆 @ 840mA,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
封装形式Package: DPAK
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 600V
连续漏极电流ID: 1.4A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:董先生
电话:19924492152
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:Alien
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:曾小姐
联系人:王
电话:15914054985
联系人:林奋勇
电话:13421536964
联系人:郭勇勇
Q Q: