型号: IRFR210PBF
功能描述: Single N-Channel 200 V 1.5 Ohm 25 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.6A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 8.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 140pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.5 欧姆 @ 1.6A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 200V
连续漏极电流ID： 2.6A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13651455585
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13148774214
Q Q:
联系人：陈先生
电话：18025639099
Q Q:
