型号:  IRFR220PBF

功能描述:  MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D-PAK

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  4.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  800 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  14 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  42 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

系列:  IRFR/U

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  1.7 S

下降时间:  13 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  22 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19 ns

典型接通延迟时间:  7.2 ns

单位重量:  1.438 g