型号:  IRFR24N15DHR

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK

制造商:  international rectifier

包装：  3DPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  150 V

最大连续漏极电流：  24 A

RDS -于：  95@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型导通延迟时间：  11 ns

典型上升时间：  53 ns

典型关闭延迟时间：  19 ns

典型下降时间：  15 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Bulk

最大门源电压：  ±30

包装宽度：  6.22(Max)

PCB：  2

最大功率耗散：  140000

最大漏源电压：  150

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最大漏源电阻：  95@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  DPAK

标准包装名称：  DPAK

最高工作温度：  175

渠道类型：  N

包装长度：  6.73(Max)

引脚数：  3

包装高度：  2.39(Max)

最大连续漏极电流：  24

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

漏极电流（最大值）：  24 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �30 V

输出功率（最大）：  Not Required W

功率耗散：  140 W

噪声系数：  Not Required dB

工作温度范围：  -55C to 175C

包装类型：  DPAK

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏极效率：  Not Required %

漏源导通电压：  150 V

功率增益：  Not Required dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  24 A