IRFR2607ZPBF规格参数_IRFR2607ZPBF全国代理商/分销商

型号: IRFR2607ZPBF
功能描述: Single N-Channel 75 V 110 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
制造商: Infineon Technologies
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 22 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 51nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1440pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 110W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 80V
连续漏极电流ID： 45A
封装/外壳： DPAK
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs