型号:  IRFR3707ZPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  56A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.25V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  14nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1150pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  50W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  9.5 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D-Pak

封装/外壳：  DPAK

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  56 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  12.5 m0hms

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  50 W

最高工作温度：  +175 °C

长度：  6.73mm

最低工作温度：  -55 °C

高度：  6.22mm

每片芯片元件数目：  1

正向跨导：  71S

正向二极管电压：  1V

系列：  HEXFET

尺寸：  6.73 x 2.39 x 6.22mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  9.6 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：  1150 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：  12 ns

典型接通延迟时间：  8 ns

宽度：  2.39mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs