IRFR5505PBF规格参数_IRFR5505PBF全国代理商/分销商

型号: IRFR5505PBF
功能描述: Single P-Channel 55 V 57 W 32 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： DPAK
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 32nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 650pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 57W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 110 毫欧 @ 9.6A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 55V
连续漏极电流ID： 18A
供应商器件封装： D-Pak
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs