IRFRC20TRPBF规格参数_IRFRC20TRPBF全国代理商/分销商

型号: IRFRC20TRPBF
功能描述: Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - DPAK (TO-252)
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 18nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 350pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 4.4 欧姆 @ 1.2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 2A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs