型号: IRFS31N20DTRR
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源： IRFB31N20DPBF Saber Model IRFB31N20DPBF Spice Model
标准包装： 800
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 31A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 82 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2370pF @ 25V
功率 - 最大值： 3.1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： D2PAK
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：张先生
电话：13714001037
Q Q:
联系人：尹学
电话：17817281186
Q Q:
联系人：冯伟键
电话：13925448765
Q Q:
