型号: IRFS650B_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 15.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.085 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
下降时间: 195 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 50 W
上升时间: 240 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 295 ns
联系人：李
电话：19925272019
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：赵军
电话：18682318008
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13113670037
Q Q:
联系人：jocy
Q Q:
联系人：黄生
电话：18173536606
Q Q:
联系人：杜先生
电话：13366976080
Q Q:
