型号: IRFSL31N20DPBF
功能描述:
制造商:
标准包装: 50
类别: 分离式半导体产品
家庭: FET - 单路
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 82 毫欧 @ 18A, 10V
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 31A
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss): 2370pF @ 25V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3（直引线）
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRFSL31N20DPBF
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13631261606
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13113670037
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：苏先生
电话：19520683865
Q Q:
联系人：雷丽辉
电话：13543309236
Q Q:
