型号:  IRFSL4227PBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  62A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  98nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4600pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  330W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  26 毫欧 @ 46A，10V

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-262

封装/外壳：  TO262

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  62 A

最大漏源电压：  200 V

最大漏源电阻值：  26 m0hms

最大栅阈值电压：  5V

最小栅阈值电压：  3V

最大栅源电压：  -30 V、+30 V

封装类型：  I2PAK (TO-262)

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  330 W

长度：  10.67mm

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  10.67 x 4.83 x 9.65mm

宽度：  4.83mm

系列：  HEXFET

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  70 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  4600 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：  21 ns

典型接通延迟时间：  33 ns

最低工作温度：  -40 °C

高度：  9.65mm

最高工作温度：  +175 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs