型号: IRFSL59N10DPBF
功能描述:
制造商:
标准包装: 50
类别: 分离式半导体产品
家庭: FET - 单路
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: Standard
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 35.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 59A
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss): 2450pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3（直引线）
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRFSL59N10DPBF
联系人：Alien
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：王
电话：13631598171
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：庆晨
电话：15322247851
Q Q:
联系人：肖生
电话：15813135800
Q Q:
