型号: IRFU024
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 25nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 640pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 100 毫欧 @ 8.4A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251AA
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13410511380
Q Q:
联系人：刘丹
电话：13682527286
Q Q:
联系人：张健
电话：13728621792
Q Q:
