型号: IRFU120_R4941
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8.4A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 350pF @ 25V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 270 毫欧 @ 5.9A,10V
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251AA
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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