型号: IRFU220_R4941
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 330pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 800 毫欧 @ 2.4A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251AA
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：李斌
电话：137888932104
Q Q:
联系人：林雾
电话：17775112811
Q Q:
联系人：庄贤耿
电话：13530156076
Q Q:
