型号:  IRFU5305PBF

功能描述:  MOSFET MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  31 A

Rds On-漏源导通电阻:  65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  42 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  110 W

配置:  Single

封装:  Tube

高度:  6.22 mm

长度:  6.73 mm

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  2.38 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  8 S

下降时间:  63 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  66 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  39 ns

典型接通延迟时间:  14 ns

零件号别名:  SP001550274

单位重量:  4 g