型号:  IRFU9120PBF

功能描述:  Single P-Channel 100 V 0.6 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)

制造商:  Vishay

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  5.6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  18nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  390pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta），42W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  600 毫欧 @ 3.4A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

封装形式Package：  TO-251-3

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  100V

连续漏极电流ID：  6.6A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  480mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs