型号: IRFU9N20DPBF
功能描述: HEXFET Power MOSFET
制造商: IRF [International Rectifier]
标准包装: 75
类别: 分离式半导体产品
家庭: FET - 单
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准型
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 380 毫欧 @ 5.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 560pF @ 25V
功率 - 最大: 86W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRFU9N20DPBF
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