型号: IRFW610BTM_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 3.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.5 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263
封装: Reel
下降时间: 25 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3.13 W
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 20 ns
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：15811822020
Q Q:
联系人：颜R
电话：23363221
Q Q:
联系人：吴晓华
电话：13826505637
Q Q:
