型号: IRFW610BTM_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 3.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.5 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263
封装: Reel
下降时间: 25 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3.13 W
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 20 ns
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：马先生
电话：18927581781
Q Q:
联系人：李
电话：13825208590
Q Q:
联系人：曾
电话：18968228899
Q Q:
