型号: IRFW650BTM_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 28 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.085 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263
封装: Reel
下降时间: 195 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3.13 W
上升时间: 240 ns
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 295 ns
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