型号: IRFW830BTM
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.5 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
封装: Reel
下降时间: 45 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 2.9 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3.13 W
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 750
典型关闭延迟时间: 85 ns
零件号别名: IRFW830BTM_NL
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：赵军
电话：18682318008
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13691998603
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：张女士
Q Q:
联系人：王小姐，陈先生
电话：15989811809
Q Q:
联系人：朱林涛
电话：13365850651
Q Q:
