型号: IRFZ44ELPBF
功能描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
制造商: IRF [International Rectifier]
典型关断延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
典型栅极电荷@Vgs: 60 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 1360 pF V @ 25
安装类型: 通孔
宽度: 4.69mm
封装类型: TO-262
尺寸: 10.54 x 4.69 x 10.54mm
引脚数目: 3
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 110 W
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 0.023
最大连续漏极电流: 48 A
最高工作温度: +175 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
长度: 10.54mm
高度: 10.54mm
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Q Q:
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