型号:  IRG4BH20K-SPBF

功能描述:  Infineon IRG4BH20K-SPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=1200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  D2PAK

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  11A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  22A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  4.3V @ 15V，5A

功率 - 最大值：  60W

开关能量：  450µJ（开），440µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  28nC

25°C 时 Td（开/关）值：  23ns/93ns

测试条件：  960V，5A，50 欧姆，15V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D2PAK

最大连续集电极电流：  11 A

最大集电极-发射极电压：  1200 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

通道类型：  N

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

长度：  10.67mm

宽度：  9.65mm

高度：  4.83mm

尺寸：  10.67 x 9.65 x 4.83mm

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs