型号:  IRG4RC20FPBF

功能描述:  Infineon 4425172 N沟道 IGBT, 22 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  22A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  44A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.1V @ 15V，12A

功率 - 最大值：  66W

开关能量：  190µJ（开），920µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  27nC

25°C 时 Td（开/关）值：  26ns/194ns

测试条件：  480V，12A，50 欧姆，15V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  DPAK

供应商器件封装：  D-Pak

最大连续集电极电流：  22 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

封装类型：  DPAK (TO-252)

通道类型：  N

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

长度：  6.73mm

宽度：  6.22mm

高度：  2.39mm

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.39mm

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs