型号: IRG7CH50K10EF
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
IGBT 类型： 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 35A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.2V @ 15V，25A
输入类型： 标准
栅极电荷： 170nC
25°C 时 Td（开/关）值： 50ns/280ns
测试条件： 600V，35A，10 欧姆，15V
工作温度： -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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