型号:  IRG7PH35UD1PBF

功能描述:  Infineon IRG7PH35UD1PBF N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  50A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  150A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.2V @ 15V，20A

功率 - 最大值：  179W

开关能量：  620µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  85nC

25°C 时 Td（开/关）值：  -/160ns

测试条件：  600V，20A，10 欧姆，15V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-247-3

供应商器件封装：  TO-247AC

最大连续集电极电流：  50 A

最大集电极-发射极电压：  1200 V

最大栅极发射极电压：  ±30V

最大功率耗散：  179 W

封装类型：  TO-247AC

通道类型：  N

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

长度：  15.87mm

宽度：  5.31mm

高度：  20.7mm

尺寸：  15.87 x 5.31 x 20.7mm

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs