型号:  IRG8P50N120KD-EPBF

功能描述:  Infineon IRG8P50N120KD-EPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装

制造商:  Infineon Technologies

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  105A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2V @ 15V，35A

功率 - 最大值：  350W

开关能量：  2.3mJ（开），1.9mJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  315nC

25°C 时 Td（开/关）值：  35ns/190ns

测试条件：  600V，35A，5 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  170ns

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-247-3

供应商器件封装：  TO-247AD

最大连续集电极电流：  80 A

最大集电极-发射极电压：  1200 V

最大栅极发射极电压：  ±30V

最大功率耗散：  350 W

封装类型：  TO-247AD

通道类型：  N

引脚数目：  3

开关速度：  1MHz

晶体管配置：  单

长度：  15.87mm

宽度：  5.31mm

高度：  20.7mm

尺寸：  15.87 x 5.31 x 20.7mm

最低工作温度：  -40 °C

栅极电容：  3300pF

额定能量：  7.7mJ

最高工作温度：  +150 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs