型号: IRGB4060DPBF
功能描述: IRGB4060DPbF Series 600 V 8 A N-Channel Bipolar Transistor IGBT - TO-220AB
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: TO220COPAK
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 16A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 32A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 1.85V @ 15V,8A
功率 - 最大值: 99W
开关能量: 70µJ(开),145µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 19nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/95ns
测试条件: 400V,8A,47 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 60ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
IGBT类型: 沟道
电压-集射极击穿(最大值): 600V
电流-集电极(Ic)(最大值): 16A
脉冲电流-集电极(Icm): 32A
不同 Vge,Ic时的 Vce(on): 1.85V @ 15V,8A
功率-最大值: 99W
25°C时Td(开/关)值: 30ns/95ns
供应商器件封装: TO-220AB
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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