型号:  IRGB6B60KPBF

功能描述:  Infineon IRGB6B60KPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  13A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  26A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.2V @ 15V，5A

功率 - 最大值：  90W

开关能量：  110µJ（开），135µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  18.2nC

25°C 时 Td（开/关）值：  25ns/215ns

测试条件：  400V，5A，100 欧姆，15V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO220

供应商器件封装：  TO-220AB

最大连续集电极电流：  13 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

封装类型：  TO-220AB

通道类型：  N

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

长度：  10.54mm

宽度：  4.69mm

高度：  8.77mm

尺寸：  10.54 x 4.69 x 8.77mm

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs