型号:  IRGIB15B60KD1P

功能描述:  Infineon IRGIB15B60KD1P N沟道 IGBT, 19 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  FULLPAK220COPAK

IGBT 类型：  NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  19A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  38A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.2V @ 15V，15A

功率 - 最大值：  52W

开关能量：  127µJ（开），334µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  56nC

25°C 时 Td（开/关）值：  30ns/173ns

测试条件：  400V，15A，22 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  67ns

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-220AB 整包

最大连续集电极电流：  19 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  52 W

封装类型：  TO-220

通道类型：  N

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

长度：  10.63mm

宽度：  4.83mm

高度：  16.12mm

尺寸：  10.63 x 4.83 x 16.12mm

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs