型号: IRGP4069D-EPBF
功能描述: IRGP4069D Series 600 V 76 A Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-247AD
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: TO247COPAK
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 76A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 105A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 1.85V @ 15V,35A
功率 - 最大值: 268W
开关能量: 390µJ(开),632µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 104nC
25°C 时 Td(开/关)值: 46ns/105ns
测试条件: 400V,35A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 120ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
IGBT类型: 沟道
电压-集射极击穿(最大值): 600V
电流-集电极(Ic)(最大值): 76A
脉冲电流-集电极(Icm): 105A
不同 Vge,Ic时的 Vce(on): 1.85V @ 15V,35A
功率-最大值: 268W
25°C时Td(开/关)值: 46ns/105ns
供应商器件封装: TO-247AD
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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