型号:  IRGP4069D-EPBF

功能描述:  IRGP4069D Series 600 V 76 A Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-247AD

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  TO247COPAK

IGBT 类型：  沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  76A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  105A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  1.85V @ 15V，35A

功率 - 最大值：  268W

开关能量：  390µJ（开），632µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  104nC

25°C 时 Td（开/关）值：  46ns/105ns

测试条件：  400V，35A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  120ns

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

IGBT类型：  沟道

电压-集射极击穿（最大值）：  600V

电流-集电极（Ic）（最大值）：  76A

脉冲电流-集电极(Icm)：  105A

不同 Vge，Ic时的 Vce（on）：  1.85V @ 15V，35A

功率-最大值：  268W

25°C时Td（开/关）值：  46ns/105ns

供应商器件封装：  TO-247AD

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs