型号:  IRGP6640D-EPBF

功能描述:  Infineon IRGP6640D-EPBF N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商:  Infineon Technologies

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  53A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  72A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  1.95V @ 15V，24A

功率 - 最大值：  200W

开关能量：  90µJ（开），600µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  50nC

25°C 时 Td（开/关）值：  40ns/100ns

测试条件：  400V，24A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  70ns

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO247COPAK

供应商器件封装：  TO-247AD

最大连续集电极电流：  53 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  200 W

封装类型：  TO-247

通道类型：  N

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

长度：  15.9mm

宽度：  20.7mm

高度：  5.31mm

尺寸：  15.9 x 20.7 x 5.31mm

最低工作温度：  -40 °C

额定能量：  1140µJ

最高工作温度：  +175 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs