型号:  IRGR3B60KD2TRP

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  DPAKCOPAK

IGBT 类型：  NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  7.8A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  15.6A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.4V @ 15V，3A

功率 - 最大值：  52W

开关能量：  62µJ（开），39µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  13nC

25°C 时 Td（开/关）值：  18ns/110ns

测试条件：  400V，3A，100 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  77ns

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

IGBT类型：  NPT

Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)：  600V

Current-Collector(Ic)(Max)：  7.8A

Current-CollectorPulsed(Icm)：  15.6A

不同 Vge，Ic时的 Vce（on）：  2.4V @ 15V，3A

Power-Max：  52W

25°C时Td（开/关）值：  18ns/110ns

供应商器件封装：  D-Pak

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

集电极—射极饱和电压：  1.9V

栅极/发射极最大电压：  ±20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

系列：  RC

封装：  CutTape

高度：  2.39mm

长度：  6.73mm

宽度：  6.22mm

栅极—射极漏泄电流：  100nA

商标名：  TRENCHSTOP

集电极—发射极最大电压 VCEO：  600V

在25 C的连续集电极电流：  7.8A

Pd-功率耗散：  52W

封装：  Reel

无铅情况/RoHs：  否