型号:  IRGS4620DPBF

功能描述:  Infineon IRGS4620DPBF N沟道 IGBT, 32 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  32A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  36A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  1.85V @ 15V，12A

功率 - 最大值：  140W

开关能量：  75µJ（开），225µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  25nC

25°C 时 Td（开/关）值：  31ns/83ns

测试条件：  400V，12A，22 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  68ns

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  D2PAKCOPAK

供应商器件封装：  D2PAK

最大连续集电极电流：  32 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±30V

最大功率耗散：  140 W

封装类型：  D2PAK (TO-263)

通道类型：  N

引脚数目：  3

开关速度：  8 → 30kHz

晶体管配置：  单

长度：  10.67mm

宽度：  9.65mm

高度：  4.83mm

尺寸：  10.67 x 9.65 x 4.83mm

最高工作温度：  +175 °C

栅极电容：  765pF

最低工作温度：  -40 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs