型号:  IRGS6B60KDPBF

功能描述:  Infineon IRGS6B60KDPBF N沟道 IGBT, 18 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  D2PAKCOPAK

IGBT 类型：  NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  13A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  26A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.2V @ 15V，5A

功率 - 最大值：  90W

开关能量：  110µJ（开），135µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  18.2nC

25°C 时 Td（开/关）值：  25ns/215ns

测试条件：  400V，5A，100 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  70ns

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D2PAK

最大连续集电极电流：  18 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  90 W

封装类型：  D2PAK (TO-263)

通道类型：  N

引脚数目：  3

开关速度：  8 → 30kHz

晶体管配置：  单

长度：  10.67mm

宽度：  9.65mm

高度：  4.83mm

尺寸：  10.67 x 9.65 x 4.83mm

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs