型号:  IRGSL4B60KD1PBF

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  11A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  22A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.5V @ 15V，4A

功率 - 最大值：  63W

开关能量：  73µJ（开），47µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  12nC

25°C 时 Td（开/关）值：  22ns/100ns

测试条件：  400V，4A，100 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  93ns

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO262COPAK

供应商器件封装：  TO-262

最大连续集电极电流：  11 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

最大功率耗散：  63 W

封装类型：  I2PAK (TO-262)

通道类型：  N

引脚数目：  3

开关速度：  8 → 30kHz

晶体管配置：  单

长度：  10.67mm

宽度：  4.83mm

高度：  11.3mm

尺寸：  10.67 x 4.83 x 11.3mm

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs