型号: IRHE53034
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 11.7 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 25 W
封装 / 箱体: LLCC-18
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single Hex Drain Octal Source Dual Gate
下降时间: 35 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 100 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 35 ns (Max)
典型接通延迟时间: 25 ns (Max)
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13417122760
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：孙
Q Q:
联系人：杜小姐
电话：13715109526
Q Q:
