型号: IRHE8110
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 690 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温� 00001BD7 �: + 150 C
Pd-功率耗散: 15 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CLCC-18
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single Hex Drain Octal Source Dual Gate
下降时间: 40 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
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