型号: IRHM4250
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 26 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-254AA-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 140 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 140 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 140 ns (Max)
典型接通延迟时间: 33 ns (Max)
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨柳
Q Q:
联系人：秦
Q Q:
联系人：朱林涛
电话：13365850651
Q Q:
