型号: IRHM4250
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 26 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-254AA-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 140 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 140 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 140 ns (Max)
典型接通延迟时间: 33 ns (Max)
联系人:Freya
电话:13636653728
联系人:文小姐,米小姐,朱小姐
电话:13590238352
联系人:小冯
电话:18964592030
联系人:曹先生,吴小姐
电话:18617161819
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:刘子书
联系人:钟小姐,王先生
电话:13418830030
联系人:朱燕兵
电话:15019280926
联系人:屈工
电话:18925266516
联系人:蔡冬冬
电话:13790486395