型号: IRHN4250
功能描述: Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin SMD-1
制造商: international rectifier
包装: 3SMD-1
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 200 V
最大连续漏极电流: 26 A
RDS -于: 110@12V mOhm
最大门源电压: ±20 V
典型导通延迟时间: 33(Max) ns
典型关闭延迟时间: 140(Max) ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
剂量水平: 600
抗辐射: Yes
标准包装: Bulk
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