型号: IRHN8250
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流 10bc : 26 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 140 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 140 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 140 ns (Max)
典型接通延迟时间: 33 ns (Max)
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈
Q Q:
联系人：刘斌
电话：13410160077
Q Q:
联系人：徐
电话：18098987658
Q Q:
